為了研究它們之間的關(guān)系，我們做以下假設(shè)：

　　第一種情況：D=2000mm，d=10mm，ε=2，求△C與H之間的關(guān)系。

　　第二種情況：D=4000mm，d=10mm， ε=2，求△C與H之間的關(guān)系。

　　由以上可見，在相同探頭直徑、相同容器直徑情況下，物料高度越高，電容變化越大；相同探頭直徑、相同物料高度情況下，容器直徑越大，電容變化越大。

　　以上就是有關(guān)射頻導(dǎo)納桿式探頭電容變化與物料高度和罐體直徑的關(guān)系的相關(guān)介紹，如欲了解更多物位開關(guān)方面的知識(shí)，歡迎關(guān)注微信公眾號(hào)：Jiweimeter。

（深圳計(jì)為自動(dòng)化技術(shù)有限公司研發(fā)中心2016年3月24日發(fā)布）